CVD / CVI 氣相沉積爐

簡(jiǎn)介

CVD 氣相沉積. CVI 氣相滲透. 氣相涂層系統(tǒng).

熱誘導(dǎo)化學(xué)氣相沉積（英語(yǔ)：chemical vapor deposition，CVD）是用于各種電介質(zhì)，半導(dǎo)體和金屬材料的保護(hù)涂層的沉積的有力方式，無(wú)論是單晶，多晶，無(wú)定形或外延狀態(tài)上或大或小的形態(tài)。典型的涂層材料包括熱解碳，碳化硅，氮化硼。

通過(guò)使用合成前體，涂層非常純凈并且滿足半導(dǎo)體工業(yè)的典型要求。根據(jù)工藝參數(shù)，可以有多種層厚度，從單個(gè)或幾個(gè)原子層到厚度從10納米到數(shù)百微米的固體保護(hù)層或功能層，以及厚度達(dá)100微米的單片部件，甚至高達(dá)數(shù)毫米。

熱誘導(dǎo)的化學(xué)氣相滲透（英語(yǔ)：chemical vapor infiltration，CVI）是一個(gè)與CVD有關(guān)的技術(shù)，以在基體材料滲入多孔或纖維預(yù)成型件以制備由復(fù)合材料制成的部件具有改善的機(jī)械性能，耐腐蝕性，耐熱沖擊性和低殘余應(yīng)力。

適用于結(jié)構(gòu)復(fù)雜的各種尺寸和形狀。通過(guò)多個(gè)氣體開(kāi)口之間切換時(shí)，在實(shí)際沉積作用前， 多孔的或纖維預(yù)成型件可以涂覆有多層涂層。

CVD 氣相沉積方式：

氣相沉積SiC，Si3N4，BN和AlN

SiC:

CH₃SiCl₃ → SiC + 3HCl 

Si₃N₄:

3SiCl₄ + 4NH₃ → Si₃N₄ + 12HCl

BN:

BCl₃ + NH₃ → BN + 3HCl

AlN:

AlCl₃ + NH₃ → AlN + 3HCl

技術(shù)特點(diǎn)：

1. 采用立式、底/頂開(kāi)門(mén)結(jié)構(gòu)：裝、卸料精度高，操作方便；
2. 采用先進(jìn)的控制技術(shù)，能精密控制MTS的流量和壓力，爐膛內(nèi)沉積氣流穩(wěn)定，壓力波動(dòng)范圍小；
3. 溫度均勻性好：平均溫度均勻性為±5℃；
4. 采用多通道沉積氣路，流場(chǎng)均勻，無(wú)沉積死角，沉積效果好；
5. 全封閉沉積室，密封效果好，抗污染能力強(qiáng)；
6. 安全性能好：采用HMI+PLC+PID程序控溫制，安全可靠；
7. 對(duì)沉積產(chǎn)生的高腐蝕性尾氣、易燃易爆氣體、固體粉塵及低熔點(diǎn)粘性產(chǎn)物能進(jìn)行有效處理；
8. 多級(jí)高效尾氣處理系統(tǒng)，環(huán)境友好，能高效收集焦油及副產(chǎn)物，易清理；
9. 采用設(shè)計(jì)防腐蝕真空機(jī)組，持續(xù)工作時(shí)間長(zhǎng)，維修率極低。

化學(xué)氣相沉積爐（碳化硅）可用于以硅烷為氣源的材料表面抗氧化涂層、基體改性等。立式化學(xué)氣相沉積爐（沉積炭）可用于以碳?xì)錃怏w（如C3H8、CH4等）為碳源的材料表面或基體等溫CVD/CVI處理。

臥式化學(xué)氣相沉積爐（SiC、BN）可用于材料的表面涂層、基體改性、復(fù)合材料制備等外延片基座、晶體爐高溫耐材、熱彎模具、半導(dǎo)體坩堝、陶瓷基復(fù)合材料等。